Auf dem Fachkongress VLSI Symposium stellt die Chip-Fertigungssparte (Foundry) von Intel ihr neuestes Produktionsverfahren Intel 18A-P vor. Es ist eine deutlich optimierte Variante von Intel 18A, das Intel seit Ende 2025 für eigene Prozessoren nutzt, beispielsweise Core Ultra 300 (Panther Lake), Core 300 (Wildcat Lake) und Xeon 6+ (Clearwater Forest).

Im Vergleich zu Intel 18A ermöglicht 18A-P nicht etwa kleinere Strukturen; das ist erst für Intel 14A ab 2028 geplant. Stattdessen zielt Intel 18A-P vor allem auf höhere Performance der Transistoren, also potenziell höhere Taktfrequenzen oder alternativ niedrigere Verluste bei gleichem Takt.

Außerdem gibt Intel Chip-Entwicklern mehr Flexibilität, vor allem mehr unterschiedliche Transistorvarianten und zusätzliche Spannungsebenen.

Auch den Widerstand bestimmter Kontakte konnten die Intel-Entwickler verringern, was Verluste mindert. Gleichzeitig wurde die Wärmeableitung verbessert.

Schneller oder sparsamer

Konkret verspricht Intel für Intel 18A-P um bis zu 9 Prozent höhere Taktfrequenzen bei gleicher Leistungsaufnahme wie bei Intel 18A. Alternativ soll die Leistungsaufnahme bei gleichem Takt um bis zu 18 Prozent sinken.

Interessanterweise illustriert Intel diese Vorteile am Beispiel eines „ARM Core Sub Block“, also nicht an einem x86-Prozessorkern. Das verdeutlicht, dass Intel mit Intel 18A-P auch fremde Auftraggeber ködert.

Intel 18A-P will aber auch die CPU-Sparte von Intel selbst nutzen, etwa für die 2027 erwarteten Xeon-Prozessoren der Generation „Diamond Rapids“.

BPD-Vorteile beziffert

Erstmals beziffert Intel auch die Vorteile, die zwei der mit Intel 18A eingeführten Neuerungen bringen, nämlich die Gate-All-Around- beziehungsweise Nanosheet-Transistoren, die bei Intel „RibbonFET“ heißen, sowie die Verlegung der Stromzufuhr-Metalllagen auf die Wafer-Rückseite (Backside Power Delivery, BPD, Intel PowerVia). Demnach kann BPD etwa zu fünf bis sechs Prozent höheren Taktfrequenzen beitragen oder dynamische Verluste um mehr als 15 Prozent mindern.

Die konkreten Vorteile der RibbonFETs scheinen nicht so leicht zu fassen zu sein. Intel beschreibt vor allem eine um rund 5 Prozent „verbesserte Umsetzung von Transistor-Vorteilen in Taktfrequenz“. Außerdem sei die Performance der Transistoren vor allem bei niedrigen Spannungen besonders gut. Das kann dazu beitragen, dass Mobilgeräte länger mit Akkustrom durchhalten.

Intel nennt auch einen Nachteil, nämlich dass die Optimierung für sehr hohe Taktfrequenzen schwierig ist. Dafür habe man aber eine Lösung identifiziert.

(ciw)