跨國投行傑富瑞（Jefferies）最新的記憶體產業報告指出，3 奈米製程升級停滯加上雲端服務商（CSP）搶先鎖定產能，使得這波記憶體漲價週期可能一路延續到 2027 年。報告同時點名中國記憶體廠雖在 NAND 快閃記憶體技術上急起直追，預計 2028 年有望追上美韓大廠水準，但短期內仍不足以撼動全球記憶體市場的多頭格局。

記憶體漲價超乎預期，2026 第三季漲幅上看 50%

Jefferies 在報告中引述曾任職三星中國記憶體產業顧問 Ethan Tan 的觀點指出，排除中國因素，2026 年全球記憶體位元供給成長僅 7% 至 8%，且這一成長完全來自製程節點微縮，並非新增產能，這代表 150 至 200 kwpm（千片晶圓／月）的供給缺口將持續存在，且因晶圓產能未見擴張，缺口恐延續至 2027 年。

Ethan Tan 預估，2026 年第三季記憶體價格將季增 40% 至 50%，第四季再進一步上漲 30% 至 40%，漲幅明顯高於歐美投資人目前普遍預期的「第三季漲 15% 至 20%」。其中，伺服器用 DRAM 漲幅預估較產業平均高出 15 個百分點（約上漲 60%），消費性電子用 DRAM 則較平均低 12 個百分點（約上漲 33%）。HBM 目前同樣面臨缺貨，在產能成長受限的情況下，未來 12 個月漲幅估計約達 70%。

整體而言，2027 年記憶體價格年增幅預估達 40% 至 45%，約是 2026 年漲幅的六倍。報告也提醒，若 2028年 晶圓產能順利擴增 15% 至 20%，且 AI 需求出現降溫，記憶體價格仍不排除出現急速回落的風險。

長約只跟雲端廠商簽，消費電子廠商供給恐更吃緊

值得注意的是，近期記憶體大廠簽訂的長期供貨協議（LTA），清一色僅與 CSP 雲端服務商客戶簽訂，且多為兩年期，並要求 40% 預付款。根據 Jefferies 查證，三星已與某大型 CSP 簽下三年期合約，且設有價格上下限。

報告特別強調，目前沒有任何消費性電子廠商能與記憶體供應商簽下這類長約，這代表 CSP 客戶實質上鎖定了全球記憶體產能的 50%，未來比例甚至可能拉高到 70%。在 CSP 優先搶貨的情況下，消費性電子廠商在 2026 年至 2027 年將面臨比市場預期更嚴峻的供給壓力與缺貨情況。

不過 Jefferies 分析師仍指出，即便拿到 40% 預付款保障，記憶體廠仍會逐年評估終端需求是否真的可持續，過去週期中曾因需求驟降而吃過虧，因此各廠擴產態度依然謹慎；一旦供給狀況轉為寬鬆，這些長約也可能遭客戶主動解除。

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中國短期難撼動記憶體牛市，但 NAND 技術急起直追

針對市場高度關注的中國因素，Jefferies 認為，中國記憶體廠的產能擴張速度（DRAM 與 NAND 每年成長 70 kwpm 至 80 kwpm，高於 Jefferies 原先預估的 50 kwpm 至 60 kwpm）短期內僅會衝擊低階市場，仍不足以威脅 2026 年至 2027 年全球記憶體的多頭行情。

不過報告也提出長期警訊：中國在 NAND 技術上的威脅程度，可能高於外界對 DRAM 的擔憂。以長鑫存儲（CXMT）為例，其 DRAM 技術目前落後全球領先廠商約 1.5 代至 2 代，在缺乏 EUV 設備的情況下，短期內難以升級至 DDR6 或 HBM3E 等次世代規格。但在 NAND 領域，CXMT 目前 HBM 相關產能每月僅有數千片晶圓，預計 2027 年將提升至每月 3 萬片晶圓的規模，雖然整體仍落後全球廠商約兩代，但成長速度仍備受關注，並可能在 2028 年逐步追近美韓大廠水準。

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HBM4 競爭格局生變，三星憑混合鍵合技術有望扳回劣勢

在備受市場關注的 HBM4（第四代高頻寬記憶體）競爭態勢上，Jefferies 認為三星有望扭轉過去的技術劣勢。報告指出，隨著整個產業在堆疊技術上轉向「混合鍵合（hybrid bonding）」，原本制約三星的技術瓶頸預期將不復存在。此外，Jefferies 透過其他產業調查管道發現，三星採用 4 奈米製程的 HBM4 基底晶片（base die）效能表現，在三大記憶體廠中居於領先地位，有機會在競爭對手追上之前搶佔優勢。

總結而言，Jefferies 這份報告提及了全球記憶體產業「漲價超乎預期、供給持續吃緊、中國威脅短期無虞但 NAND 技術方面不容忽視」的觀點，後續記憶體的價格走勢、CSP 長約簽訂進度，以及中國 NAND 廠擴產速度，將是觀察這波漲價週期能否延續至 2027 年的三大關鍵指標。