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- 台股開盤狂瀉800點：記憶體股跌幅收斂 待美光財報定方向
台股 6 月 24 日開盤狂瀉，加權指數早盤跌逾 900 點、摜破 46,200 點，力守 4 萬 6 大關，台積電與半導體權值股領跌。前一日重挫的記憶體族群跌幅收斂、聯電逆勢翻紅，市場觀望今晚（台灣 6 月 25 日凌晨）美光財報。
Photo Credit:中央社/記者張新偉攝
台股 6 月 24 日開低走低。加權指數開盤報 46,909.98 點，早盤跌幅迅速擴大，9 時 17 分一度跌至 46,199.73 點、下跌 900.92 點（1.91%），逼近 4 萬 6 千點整數關卡；櫃買指數同步下跌 1.40%。
前一個交易日，加權指數盤中才首度站上 48,000 點，改寫 48,218.87 點的盤中歷史新高，但尾盤急殺，終場收在 47,100.65 點，下跌 640.86 點（1.34%）。連續兩個交易日大幅回檔後，4 萬 6 千點成為市場關注的重要支撐位置。
權值股領跌 市場關注4萬6支撐
早盤主要賣壓來自半導體權值股。台積電（2330）報 2,435 元、下跌約 2.21%，成為壓抑指數的最大權值來源；封測龍頭日月光投控（3711）下跌約 3.93%。
加權指數跌破 46,300 點後持續走低，盤中一度來到 46,200 點附近，市場關注 4 萬 6 千點整數關卡能否守穩。
記憶體跌幅收斂 未再出現跌停潮
相較前一日記憶體族群重挫，6 月 24 日開盤後相關個股跌勢明顯收斂。南亞科（2408）報 440 元、下跌約 3.19%，前一交易日以跌停作收，今日未再觸及跌停；旺宏（2337）下跌約 1.74%、群聯（8299）下跌約 1.85%、華邦電（2344）下跌約 1.42%。
晶圓代工兼具記憶體代工題材的力積電（6770）僅下跌約 0.76%，相對抗跌；聯電（2303）則逆勢上漲約 1.18%，表現優於大盤。
市場認為，本波修正壓力主要來自海外記憶體產業消息面影響。前一日美股費城半導體指數重挫 7.9%，記憶體大廠美光（Micron）股價大跌約 13%，南韓記憶體類股同步走弱。
市場解讀，與南韓記憶體大廠傳出放緩高頻寬記憶體（HBM）擴產步調、轉向標準型 DRAM 市場有關。韓媒報導指出，標準型 DRAM 獲利能力近期改善，加上市場對下一代 AI 平台需求成長預期出現調整，使相關議題再度受到關注。
不過，相關訊息並非全新發展，而是近期持續討論的產業趨勢，在美光財報公布前夕再度被市場放大檢視。
市場聚焦美光財報與展望
市場下一個重要觀察點為美光財報。美光將於美國時間 6 月 24 日盤後（台灣時間 6 月 25 日凌晨）公布最新一季財報並召開法說會，市場聚焦其對 HBM 與 DRAM 需求、價格走勢及下半年展望的看法。
若財報內容顯示需求與報價維持強勁，市場對記憶體產業景氣循環的信心可望獲得支撐；反之，若展望偏向保守，近期漲幅已大的相關個股仍可能面臨獲利了結賣壓。
從今日早盤表現來看，南亞科未再跌停、部分個股跌幅收斂，顯示前一交易日的恐慌性賣壓已有所降溫。不過，資金是否重新回流記憶體族群，以及本波修正是否告一段落，仍有待美光財報與法說會釋出的訊息進一步驗證。
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採訪撰文、責任編輯：劉家瑜 / 核稿編輯：林筠騏