



























GIGABYTE GAMING 1000GM PG5 1000W 評測
GIGABYTE GAMING 1000GM PG5 是一款具備 1000 瓦輸出的電源供應器,通過 80PLUS 金牌認證。內部架構採用主動功率因數修正、半橋諧振與 12V 同步整流技術,單路 12V 輸出搭配 DC-DC 轉換 3.3V/5V/-12V 設計,能使 12V 可用功率最大化並改善交叉調整率。產品採用全日系電容,並提供 2 個 EPS 4+4P 接頭,支援高階 Intel 與 AMD 處理器及主機板平台。散熱部分配置 13.5 公分 FDB 軸承風扇,結合 HybridCool 智慧控制,可在低負載與低溫時自動停轉,並於負載提高後依溫控運轉。
在線材與安全設計上,該電源採用全模組化搭配壓紋線材,並配備 1 條相容 ATX 3.1 與 PCIe Gen 5.1 規範的 12V-2×6 模組化線材,以支援新款顯示卡;其中插入插座的部分改為灰色,便於使用者判斷是否完全插入。此外,產品導入 T-GUARD 主動 GPU 防護技術,在 12V-2×6 線材的顯示卡端接頭附近內建溫度感測器,當偵測到線路溫度過高時,系統會自動進行降載,以維持運作安全性。

GIGABYTE GAMING 1000GM PG5 1000W 的外盒正面標示了品牌商標「GIGABYTE」、80 PLUS 金牌認證標章、產品系列名稱與「1000W」輸出功率字樣,並印有全模組化電源供應器的實體外觀圖;此外,外盒下方排有一系列功能圖示,由左至右分別為雙色連接器的「PCI-E GEN 5.1 & ATX 3.1」、全模組化、日系電容、SMART FAN 以及 T-GUARD 保護技術。

盒背右上側印有轉換效率(Efficiency)和風扇噪音(Fan Noise)隨系統負載變化的兩張折線圖表。外盒段左側為 AC 輸入與 DC 輸出功率規格表,右側為型號、尺寸、保護機制等詳細產品規格表。最下方一排則詳細展示了線材接頭外觀、數量及線路長度配置,由左至右分別為主機板 MB (20+4 Pins) x1、CPU (4+4 Pins) x2、PCI-E (16 Pins) x1、PCI-E (6+2 Pins) x4、SATA x8 以及週邊 Peripheral x4。

包裝內容物包含電源供應器本體、一條交流電源線、數支塑膠束帶、四顆固定螺絲、一包袋裝的黑色壓紋模組化線材,以及一本多國語言使用手冊。

GIGABYTE GAMING 1000GM PG5 1000W 尺寸為 150mm x 150mm x 86mm,外殼採用鈦灰色烤漆與黑色拼接的雙色設計。頂部配有八角形狀的黑色風扇護網,中央嵌有 G 字的品牌識別標誌。

電源供應器兩側側面的外觀設計。兩側均採用鈦灰色與黑色的不對稱幾何圖形拼接,並有造型凹槽與螺絲點綴,印有「GAMING」、「GIGABYTE」及「1000W」字樣。

八角形蜂窩狀 MESH 通風風扇網,護網正中央貼有鏡面的 GIGABYTE 品牌幾何商標,外觀設計相當具質感。

電源背面標籤標明型號為 GP-GME1000GM PG5,並列出交流輸入(AC INPUT)電壓與頻率、主動式功率因數修正(ACTIVE PFC)、直流輸出(DC OUTPUT)各電壓組別的最大電流與最大瓦數,其中 12V 輸出最大電流為 83.3A,總最大瓦數為 1000W。下方印有產地、多個國際安規與環保認證標章(如 CE、FC、EAC、CCC、RoHS 等)、警告說明以及 80 PLUS 金牌認證標章,底部並附有產品條碼。

出風口處設有大面積的蜂窩狀散熱通風孔,右側配置了一個獨立的電源翹板開關以及一個標準的交流電輸入插座,在插座下方還印有 GIGABYTE GAMING 品牌標誌。

全模組化輸出插座面板,右上角貼有「GIGABYTE」商標及高壓警告標語(WARNING! High Voltage)。插座區分為兩層並帶有白色文字指示線:上層左側為四個 8-pin 的「CPU/PCI-E」插座,右側為三個 6-pin 的「PERIPHERAL/SATA」插座;下層左側配置了一個雙色的 12V-2x6 插座,右側則為分為兩個區塊的主機板「M/B」插座。

1 條主機板電源模組化線路提供 1 個 ATX 20+4P 接頭,線路長度 61 cm

2 條處理器電源模組化線路提供 2 個 EPS 4+4P 接頭,線路長度 59.5 cm

2 條顯示卡電源模組化線路提供 4 個 PCIE 6+2P 接頭,至第一個接頭線路長度 59.5 cm,接頭間線路長度 15 cm

1 條 12V-2×6 模組化線路,線路長度 69 cm,接頭標示 600W,插入插座的部分改為灰色,方便使用者判斷是否完全插入插座,距離接頭 6 公分處包覆熱縮套管

12V-2×6 接頭外殼側面有 H++ 標示

12V-2×6 接頭內部金屬連接器的樣式如上圖所示

12V-2×6 線材靠近顯示卡端接頭部分的熱縮套管切開,內部金屬板夾住兩條排線,金屬板連接溫度感測頭

12V-2×6模組化線路使用16pin Molex Mini-Fit Jr.連接器連接電源供應器

2 條 SATA 模組化線路,提供 8 個直式 SATA 接頭,至第一個接頭線路長度 60 cm,接頭間線路長度 15cm

1 條大 4P 模組化線路,提供 4 個直式大 4P 接頭,至第一個接頭線路長度 50 cm ,接頭間線路長度 15cm
GIGABYTE GAMING 1000GM PG5 1000W 內部元件規格
| 品牌型號 | GIGABYTE GAMING 1000GM PG5 1000W(GP-GME1000GM PG5) |
| 拓樸架構 | 一次側:APFC+半橋諧振 二次側:同步整流12V,DC-DC轉換3.3V/5V/-12V |
| 風扇 | HONG HUA HA13525H12SF-Z |
| EMI | X電容×3,Y電容×4,共模電感×2,突波吸收器 |
| X電容放電 | 電阻+放電IC |
| 防湧浪電流 | NTC熱敏電阻+繼電器 |
| 橋式整流器 | GBU1508(800V/15A)×2 |
| 補助電源電路一次側整合IC | EXCELLIANCE MOS杰力科技EM8569D |
| 補助電源電路二次側整流 | PINGWEI平偉PS1060L(60V/10A) |
| APFC MOSFET | CHINA RESOURCES MICROELECTRONICS華潤微電子CRJF125N60G2F(600V/125m Ω/25A@25℃)×3 |
| APFC二極體 | SANAN三安半導體SDS065J010C3(650V/10A@155℃) |
| APFC電容 | TK 400V 680µF LGW系列(2000小時@105℃) |
| APFC控制 | CHAMPION虹冠電子CM6500UNX CHAMPION虹冠電子CM03AX |
| 一次側MOSFET | 無錫新潔能NCE65TF099F(650V/109m Ω/38A@25℃)×2 |
| 一次側諧振控制 | CHAMPION虹冠電子CM6901T6X |
| 二次側同步整流控制 | |
| 3.3V/5V DC-DC MOSFET | POTENS博盛半導體PDC39F2BX(30V/2.95m Ω/120A@25℃) |
| 3.3V/5V DC-DC控制 | ANPEC茂達APW7159C |
| 微控制器 | NUVOTON新唐MS51FB9AE |
| 電源管理 | WELTREND偉詮WT7527RT |

採用一次側主動功率因數修正及半橋諧振,二次側12V同步整流,並經由DC-DC轉換3.3V/5V/-12V

採用HONG HUA HA13525H12SF-Z風扇,並設置氣流導風片

主電路板背面焊點整體做工良好,部分大電流線路有敷錫

交流輸入插座及總開關加上小電路板並覆蓋隔板,磁芯有包覆套管,小電路板背面有X電容放電 IC 及電阻

小電路板正面有 X 電容 CX1/CX2、 Y 電容 CY1/CY2、共模電感 CM1

主電路板輸入保險絲有包覆套管,突波吸收器未包覆套管,共模電感 CM2 下方有 X 電容 CX3 及 Y 電容 CY3/CY4

2 個 GBU1508 橋式整流器之間加上散熱片

APFC 散熱片上面有 3 個 CHINA RESOURCES MICROELECTRONICS 華潤微電子 CRJF125N60G2F 全絕緣封裝 MOSFET 及 1 個 SANAN 三安半導體 SDS065J010C3 二極體

APFC 控制子卡的 CHAMPION 虹冠電子 CM6500UNX 及 CM03AX 負責 APFC 電路控制

APFC 電容採用 TK 400V 680µF LGW 系列 105℃ 電解電容

EXCELLIANCE MOS 杰力科技 EM8569D 為輔助電源電路一次側整合 IC,輔助電源電路變壓器包覆黑色聚酯薄膜膠帶

PINGWEI 平偉 PS1060L 輔助電源電路二次側整流二極體在主電路板背面

一次側散熱片上面有 2 個無錫新潔能 NCE65TF099F 全絕緣封裝 MOSFET,隔離驅動變壓器包覆黑色聚酯薄膜膠帶,NTC 熱敏電阻用來抑制輸入湧浪電流,電源啟動後會使用繼電器將其短路,去除 NTC 所造成的功耗損失

1 個諧振電感及2個諧振電容組成一次側諧振槽

主電路板正面的二次側 12V 同步整流 MOSFET 透過導熱墊片接觸散熱片

主電路板背面的 CHAMPION 虹冠電子 CM6901T6X 負責一次側諧振及二次側同步整流控制

二次側區域的 TK 固態電容及電解電容,主電路板正面及背面共有 4 個用於偵測 12V 電流的分流器

3.3V&5V DC-DC/ 電源管理/微控制器子卡正面左側有 NUVOTON 新唐 MS51FB9AE 微控制器、ANPEC 茂達 APW7159C 雙通道同步降壓 PWM 控制器、WELTREND 偉詮 WT7527RT 電源管理 IC (監控輸出電壓/電流、接受 PS-ON 信號控制、產生Power Good 號)。子卡正面右邊有環形電感、柱狀電感、TK 固態電容、3.3V/5V DC-DC MOSFET (POTENS 博盛半導體 PDC39F2BX )。子卡背面使用導熱墊片接觸散熱片

模組化插座板背面覆蓋隔板,正面插座之間設置 TK 固態電容及電解電容,加強輸出濾波/退耦效果,正面右側紅框處為 -12V DC-DC 轉換 IC
GIGABYTE GAMING 1000GM PG5 1000W 評測

110V輸入的空載功耗

110V 輸入 的20%/50%/100% 輸出轉換效率分別為 92.57%/92.83%/90.23%,符合 80PLUS 金牌認證要求20% 輸出 87% 效率、50% 輸出 90% 效率、100% 輸出 87% 效率

110V 輸入下 10% / 20% / 50% / 100% 輸出的交流輸入波形 (黃色-電壓,紅色-電流,綠色-功率)。50% 輸出下功率因數為 0.9846,滿足 80PLUS 金牌認證要求 50% 輸出下功率因數大於 0.9

220V輸 入的空載功耗

220V 輸入的 20% / 50% / 100% 輸出轉換效率分別為 93.4% / 94.29% / 92.57%

220V 輸入下 10% / 20% / 50% /100% 輸出的交流輸入波形(黃色-電壓,紅色-電流,綠色-功率)

110V 輸入 (藍線) 及 220V 輸入(紅線)的 10% / 20% / 50% / 100% 輸出轉換效率折線圖

110V 輸入的綜合輸出負載測試,輸出 54% 時 3.3V / 5V 電流達 14A 以後就不再往上加,3.3V / 5V / 12V電壓記錄如上表

110V輸入下綜合輸出 8% 至 100% 之間 3.3V 輸出電壓最高與最低點差異為 52.3mV

110V 輸入下綜合輸出 8% 至 100% 之間 5V 輸出電壓最高與最低點差異為 60.2mV

110V輸入下綜合輸出8%至100%之間12V輸出電壓最高與最低點差異為40mV

110V 輸入的偏載測試,這時 12V 維持空載,分別測試 3.3V 滿載 (CL1)、5V 滿載 (CL2)、3.3V/5V 滿載 (CL3) 的 3.3V / 5V / 12V 電壓變化,並無出現超出±5%範圍情形 (3.3V:3.135V-3.465V,5V:4.75V-5.25V,12V:11.4V-12.6V)

110V 輸入的純 12V 輸出負載測試,這時 3.3V / 5V 維持空載,3.3V / 5V / 12V電壓記錄如上表

110V 輸入下純 12V 輸出 6% 至 100% 之間 3.3V 輸出電壓最高與最低點差異為 39.5mV

110V 輸入下純 12V 輸出 6% 至 100% 之間 5V 輸出電壓最高與最低點差異為 38.3mV

110V 輸入下純 12V 輸出 6% 至 100% 之間 12V 輸出電壓最高與最低點差異為 38mV

110V 輸入下 12V 低輸出轉換效率測試,輸出 12V/1A 效率 58.7%,輸出 12V/2A 效率 74.6%,輸出 12V/3A 效率 79.6%,輸出 12V/4A 效率 83.5%

110V 輸入時電源 PS-ON 信號啟動後直接 3.3V/14A、5V/14A、12V/73A 滿載輸出下各電壓上升時間圖,從 12V 開始上升處當成起點 (0ms) 時,12V 上升時間 4ms,5V 上升時間 4ms,3.3V 上升時間 4ms

110V 輸入時 3.3V/14A、5V/14A、12V/73A 滿載輸出下斷電的 Hold-up time 時序圖,從交流中斷處當成起點 (0ms) 時,12V 於 17ms 開始下降,19ms 降至 11.44V (圖片中資料點標籤)

接下來的波形圖,CH1 黃色波形為 12V 電壓波形,CH2 藍色波形為 5V 電壓波形,CH3 紫色波形為 3.3V 電壓波形,上圖為 110V輸入下輸出無負載的漣波

110V 輸入下輸出 12V/5A (上圖) 及輸出 12V/6A (下圖) 的漣波

110V 輸入時於 3.3V/14A、5V/14A、12V/73A (綜合全負載) 輸出下,12V/5V/3.3V 各路低頻漣波分別為 34.397mV / 23.016mV / 19.189mV,高頻漣波分別為 21.106mV / 21.112mV / 20.117mV

110V 輸入時於 12V/83A (純 12V 全負載)輸出下,12V / 5V / 3.3V 各路低頻漣波分別為 28.298mV / 20.89mV / 13.928mV,高頻漣波分別為 16.461mV / 16.645mV / 10.338mV

110V輸入下 12V 啟動動態負載,變動範圍 5A 至 25A,維持時間 500 微秒,最大變動幅度 260.25mV,同時造成 5V 產生 99.48mV、3.3V 產生 94.88mV 的變動

110V 輸入下 12V 啟動動態負載,變動範圍 25A 至 50A,維持時間 500 微秒,最大變動幅度 497.16mV,同時造成 5V 產生 156.41mV、3.3V 產生 152.5mV的變動

110V 輸入下 12V 啟動動態負載,變動範圍 10A 至 66A,維持時間 500 微秒,最大變動幅度 857.84mV,同時造成 5V 產生 257.66mV、3.3V 產生 255.69mV 的變動

110V 輸入下 12V 啟動動態負載,變動範圍 20A 至 83A,維持時間 500 微秒,最大變動幅度 973.06mV,同時造成 5V 產生 274.29mV、3.3V 產生 269.53mV 的變動

110V 輸入時電源供應器滿載輸出下內部的紅外線熱影像圖

110V 輸入時電源供應器滿載輸出下橋式整流 / APFC MOSFET / APFC電感 (上圖) 及一次側 MOSFET / 諧振電感 (下圖) 的紅外線熱影像圖

110V 輸入時電源供應器滿載輸出下主變壓器 / 二次側(上圖) 及 DC-DC (下圖) 的紅外線熱影像圖

110V 輸入時 EPS 4+4P 連續輸出 28A (336W) 10 分鐘後的電源端模組化接頭紅外線熱影像圖

110V輸入時單條雙接頭 PCIE 6+2P 連續輸出 21A (252W) 10 分鐘後的電源端模組化接頭紅外線熱影像圖

用隨附的 12V-2×6 模組化線材連接 MSI GEFORCE RTX 5090 32G SUPRIM SOC 進行測試

執行FURMARK 30 分鐘後的 HWiNFO 感測器頁面、GPU-Z Sensors 頁面、FURMARK 畫面

執行 FURMARK 30 分鐘後顯示卡端插頭 (左上/右上) 及電源端插頭 (左下/右下) 的紅外線熱影像圖
T-GUARD 12V-2x-6 保護測試︰
原廠 T-GUARD 動作模式,當 12V-2×6 線材靠近顯示卡端接頭的溫度達到 80℃ 時,會將 12V-2×6 的S3/S4 強制從 COM (600W) 變開路 (150W),CPU / 主機板 / 周邊裝置維持正常供電。下面影片中,將 12V-2×6 線材的金屬板取出,貼上外部溫度感測頭,於顯示卡跑 FURMARK 時加熱金屬板。中間下方儀表左邊是 12V-2×6 的 6 條 12V 總電流,中間是外部溫度感測頭的溫度,右邊是電源供應器的輸入交流電壓/電流/總功率。
當外部溫度感測頭溫度達到 80℃ 時,可以看到運作 FURMARK 的螢幕變黑,顯示卡風扇停止運轉,電流降至接近 0,交流總功率降低至待機狀態表示電源供應器還在運作。過了幾秒後顯示卡風扇恢復運轉,電流稍微增加,但螢幕仍舊沒有畫面,這時要重新啟動電腦才能恢復運作

重新開機後進入事件檢視器,可以看到觸發 nvlddmkm 153 顯示卡驅動錯誤及 Kernel-Power 41 電腦未正常關機意外啟動錯誤

可靠性監視器也會記錄下硬體錯誤、Windows已停止運作、未正確關閉Windows、意外關機的錯誤,因為進行兩次測試,所以同一天內會有2個時間點
本體及內部結構心得小結:
○全模組化設計,採用壓紋線材。提供1個ATX 20+4P、2個EPS 4+4P、1個12V-2×6、4個PCIE 6+2P、8個直式SATA、4個直式大4P
○顯示卡端12V-2×6接頭插入插座的部分改為灰色,方便使用者判斷是否完全插入插座,靠近顯示卡端接頭的線材內部有溫度感測頭,線材連接電源使用16pin Molex Mini-Fit Jr.連接器
○八角形風扇護網安裝在內側,於低負載/溫度下風扇自動停止轉動,負載/溫度提高後採溫控運轉
○交流輸入插座及總開關的小電路板背面覆蓋隔板,保險絲/磁芯有包覆套管,突波吸收器未包覆套管
○主電路板背面焊點整體做工良好,部分大電流線路有敷錫
○採用一次側主動功率因數修正及半橋諧振、二次側同步整流輸出單路12V,搭配DC-DC轉換3.3V/5V/-12V
○APFC MOSFET採用華潤微電子,APFC二極體採用三安半導體,一次側MOSFET採用無錫新潔能,3.3V&5V DC-DC MOSFET採用博盛半導體。APFC及一次側MOSFET採用全絕緣封裝
○APFC電容使用TK,其他固態電容及電解電容使用TK
○二次側電源管理IC可偵測輸出電壓/電流是否在正常範圍,並加裝微控制器
各項測試結果簡單總結:
○110V輸入的20%/50%/100%輸出轉換效率分別為92.57%/92.83%/90.23%,符合80PLUS金牌認證要求
○110V輸入的功率因數修正,符合80PLUS金牌認證要求
○220V輸入的20%/50%/100%輸出轉換效率分別為93.4%/94.29%/92.57%
○110V輸入的偏載測試,12V維持空載,測試3.3V滿載、5V滿載、3.3V/5V滿載的3.3V/5V/12V電壓變化,均未超出±5%範圍
○110V輸入下電源啟動至綜合全負載輸出狀態,12V上升時間4ms,5V上升時間4ms,3.3V上升時間4ms
○110V輸入下綜合全負載輸出狀態切斷AC輸入模擬電力中斷,12V於17ms開始下降,19ms降至11.44V
○110V輸入時綜合全負載輸出下12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為34.397mV/23.016mV/19.189mV,於純12V全負載輸出下12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為28.298mV/20.89mV/13.928mV
○110V輸入下12V動態負載測試,變動範圍5A至25A,維持時間500微秒,最大變動幅度260.25mV
○110V輸入下12V動態負載測試,變動範圍25A至50A,維持時間500微秒,最大變動幅度497.16mV
○110V輸入下12V動態負載測試,變動範圍10A至66A,維持時間500微秒,最大變動幅度857.84mV
○110V輸入下12V動態負載測試,變動範圍20A至83A,維持時間500微秒,最大變動幅度973.06mV
○110V輸入時熱機下3.3V過電流截止點27A(135%),5V過電流截止點30A(150%),12V過電流截止點109A(131%)
○當12V-2×6線材靠近顯示卡端接頭的溫度達到80℃時,12V-2×6的S3/S4強制從COM變開路,會導致顯示卡停止運作及螢幕輸出影像消失,要重新啟動電腦才能恢復運作,在Windows事件檢視器及可靠性監視器內也會留下關於顯示卡驅動程式錯誤的資訊
此内容由惯性聚合(RSS阅读器)自动聚合整理,仅供阅读参考。 原文来自 — 版权归原作者所有。