三大記憶體廠啟動 DDR6 早期開發
速度可達 DDR6-17600 目標 28~29 年發布
【DDR6 ... 😱】次世代記憶體 DDR6 啟動早期開發 !! 據南韓媒體報導，Samsung、SK hynix 及 Micron 已正式啟動 DDR6 記憶體的早期開發工作，理論傳輸速率最高可達 17.6 Gbps，頻寬效能預計將實現翻倍增長，三大廠將目標鎖定在 2028 年至 2029 年間正式發布。
DDR6 作為 DDR5 的繼任者，其設計目標是實現比現有 DDR5 最高約 8.4Gbps 快上一倍以上的傳輸速度；然而，更高速的傳輸也帶來了嚴峻的挑戰，特別是在訊號完整性與功耗控制方面。南韓科技媒體《THE ELEC》報導指，由於電路佈線與堆疊結構（Stack-up）極其複雜，記憶體廠商改變了以往「先設計晶片、後找基板」的模式，改為在初期階段就邀請基板廠商共同開發，以確保硬件架構能支撐高頻訊號。
儘管目前國際半導體標準協定機構（JEDEC）尚未敲定 DDR6 的最終規格，且關於封裝厚度、I/O 數量及訊號傳輸協定等細節仍處於各方角力階段，但三大廠商在此時已加速開發，希望將自家的技術方案推向標準化。一旦其方案被 JEDEC 採納，廠商將在未來的量產良率穩定度與成本競爭力上佔據絕對優勢。
根據目前的 JEDEC 路線圖，DDR6 的理論傳輸速率最高可達 17.6 Gbps，相較於現行 DDR5 的上限規格實現翻倍增長。為了應付如此高速的傳輸，報導指三大記憶體廠已開始向基板供應商提供初步設計資料，當中包括記憶體厚度、基板結構與線路佈置等核心參數，以便在 JEDEC 標準正式拍板前搶先製作測試樣品。
雖然各大記憶體廠已啟動 DDR6 開發，但距離全面商用尚有時日。儘管業界普遍預測 DDR6 的實際商用化時程將落在 2028 年至 2029 年之間，但真正普及可能要到 2030 年甚至更後才會發生，而且對於消費市場而言，更關心的往往不是速度，而是價格。
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