中國成功研發「奈米壓印」技術
無需 ASML 光刻機設備 生產成本省 90%
【自主研發 ㊙️】外媒報導，由於美國等西方國家嚴格限制深紫外光（DUV）及極紫外光（EUV）曝光機出口中國，中國半導體新創企業「青芯半導體」（Prinano）近日宣佈，已成功驗證利用「奈米壓印」（Nanoimprint Lithography, NIL）技術量產 8 吋矽基光子晶片（Photonic Chip）。該公司強調，此技術完全繞過了對荷蘭曝光機巨頭 ASML 生產設備的依賴，並能將晶片製造費用大幅削減至傳統 DUV 製程的十分之一左右。
據《Interesting Engineering》報導，傳統晶片製造極度依賴複雜的光學曝光技術，透過雷射光束將電路圖案投影至晶圓上，其設備如 DUV 曝光機價格高昂且受到地緣政治的出口管制。青芯半導體此次發表的製程則採用完全不同的路徑，改以自主研發的「PL-AS 真空氣墊式奈米壓印曝光平台」。
該技術的原理類似「微觀蓋印章」，直接將奈米級的幾何結構機械式地壓印到塗有阻劑的晶圓表面。由於省去了傳統曝光機中極其昂貴且複雜的光學系統與高功率雷射光源，青芯半導體宣稱，該平台可達成晶圓級的光子晶片生產，並將整體生產成本降低至傳統 DUV 製程的 10% 左右（即削減 90% 的成本）。
據青芯半導體透露，PL-AS 真空氣墊式奈米壓印平台支援小於 10 奈米（sub-10nm）的線寬解析度，晶圓級壓印壓力均勻性控制在 0.5% 以內，可實現無殘膠壓印，殘留層厚度成功控制在 2 奈米以下。
現有市場上發展奈米壓印技術的代表為日本佳能（Canon），其系統多採用「步進複印」（Step-and-Repeat）的方式進行逐點依序曝光。而青芯半導體宣稱其設備採用全晶圓整體壓縮製程，因此在吞吐量與產出效率上表現更佳，被視為對日本大廠技術的直接挑戰。
不過，海外專家與分析師對消息保持審視態度，雖然奈米壓印在結構相對簡單的記憶體（如 NAND Flash）與光子晶片上有其優勢，但要全面跨入高階商業邏輯晶片量產仍有良率、模具損耗與定位精度等技術瓶頸待克服。
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