Intel 宣布 18A-P 製程正式生產
相同時脈下 功耗可進一步降低 18%

【18A-P 來了 ✅】Intel 於 16 日在美國 VLSI 技術研討會上宣布，其高效能改良版「Intel 18A-P」製程已正式進入風險生產（Risk Production）階段。Intel 指出，在相同功耗（Iso-power）的基礎下，該製程可為中央處理器（CPU）帶來 9% 的效能提升；若在相同效能（Iso-performance）指標下，則能降低達 18% 的功耗。

作為旗艦級 Intel 18A 製程的首個升級版本，Intel 18A-P 擁有極高的設計彈性。由於該製程在設計規則上與現行的 Intel 18A 完全兼容，因此現正使用 18A 製程的晶片無需重新設計，即可無縫轉移並直接重複使用。

晶片設計人員無需針對新製程重新進行大規模的電路板改動，即可享有新技術所帶來的效能與功耗效益，這將大幅降低無晶圓廠（Fabless）客戶升級製程時的時間與研發成本。

據了解，Intel 18A-P 導入了 Power Boost 新型電晶體與技術，並加入了具備雙接觸點、低電阻特性的「W3P」電晶體，能在維持相同電容的情況下，有效增加驅動電流並提高運作頻率，特別適用於極度追求高時脈的高效能晶片。

此外，Intel 18A-P 新增了第五組邏輯閾值電壓（Vt pair）。在原本的「超低閾值電壓（ULVT）」與「低閾值電壓（LVT）」之間，Intel 加入了一組名為「ULVTLL（Ultra-Low Voltage Threshold Low Leakage）」的全新電壓選擇。此設計為晶片工程師在平衡運算速度與漏電率（Leakage）時，提供了更精準的最佳化配置彈性。

除了電晶體架構的變革，Intel 18A-P 亦在晶片物理特性與散熱效能上進行了全面升級。得益於材料創新與先進的電子設計自動化（EDA）工具輔助，新製程成功對晶圓背面進行了更極致的減薄研磨，使整體製程的熱阻（Thermal Resistance）降低了 20% 至 40%。

同時，在關鍵的效能層中，導線接觸孔電阻（Via Resistance）亦獲得了 10% 至 30% 的調降。再配合 Intel 領先業界的「RibbonFET」全環繞閘極（GAA）電晶體以及「PowerVia」背面供電技術，使訊號傳輸與供電效率皆獲得全方位最佳化。

雖然相較於原本的 18A 製程，18A-P 的效能增幅屬於漸進式改良而非顛覆性躍進，但該節點順利邁入風險生產階段，對 Intel 而言，無疑大大提升了其晶圓代工的競爭力。