SanDisk 推出 HBF NAND 技術
將 NAND 顆粒垂直堆疊在 GPU 下方
【HBF 技術 ㊙️】隨著人工智能（AI）對記憶體容量與頻寬的需求迎來爆發式增長，同時亦暴露了 HBM 高頻寬記憶體的供應瓶頸。為了尋找全新解決方案，SanDisk 計劃推出 High-Bandwidth Flash（HBF）高頻寬快閃記憶體，將 NAND 快閃記憶體與 GPU 垂直分層堆疊，打破傳統的旁側（Side-by-Side）配置，藉此縮短資料傳輸距離，達到降低延遲、減少成本與功耗的目標。
據《Wccftech》報導，傳統的 NAND 快閃記憶體雖然具備大容量與低成本的優勢，但由於配置在距離運算核心較遠的位置，資料傳輸速度一直無法與作為 DRAM 的 HBM 相比。
為了縮短兩者之間的差距，SanDisk 推出全新 HBF NAND 技術，採用了類似 HBM 的垂直分層堆疊架構，利用矽穿孔（TSV）技術將多層 NAND 快閃記憶體緊密互連，融合成單一的垂直堆疊。這使儲存容量得以大幅飆升，相較於目前 HBM 每個堆疊約 32GB 至 64GB 的容量，HBF 架構預計最高可擴充至驚人的 4TB。
除了垂直分層堆疊方式，SanDisk 更提出利用互補式金屬氧化物半導體接合陣列（CMOS Bonded Array, CBA）結構，直接將 HBF NAND「墊」在 GPU 晶片正下方，令速度能夠進一步提升。目前 SanDisk 已經為該技術取得專利（專利號：US 12,430,274 B2）。
在這套全新架構中，HBM DRAM 依然會被配置在同一個中介層（Interposer）上，但兩者的角色分工將有所不同。高速度、低延遲的 HBM 將專職處理高優先權的即時運算資料，而 HBF NAND 快閃記憶體則透過更寬的晶片間內部連結通道，負責承擔海量資料的讀寫與長期保存。這種設計不僅能克服 NAND 過去因物理距離導致速度落後的弱點，也能減少 HBM 的容量需求，緩解目前市面上 HBM 全面短缺的問題。
不過，此構想目前仍處於專利與技術路線圖階段，距離真正的商業化與量產還有一段路要走。未來如何在極高功率下進行散熱管理、控制製造成本，以及在單一封裝內同時整合運算核心、NAND 與 DRAM，其工程難度極高，都是 SanDisk 必須克服的關鍵挑戰。
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