SK하이닉스가 분기 기준 사상 최대 실적을 또 한번 갈아치웠다. 고대역폭메모리(HBM)와 서버용 메모리 등 고부가 제품 판매가 확대된 데 따른 효과다. 1분기 영업이익률은 무려 72%에 달해 미국 마이크론(67.6%), 대만 TSMC(50%대 후반) 등 글로벌 톱 수준을 넘어선 것으로 관측된다. SK하이닉스는 올해에도 HBM 등 고부가 제품 판매 확대에 따라 성장세가 지속될 전망이다.

SK하이닉스는 올해 1분기 매출액 52조5763억원, 영업이익 37조6103억원(영업이익률 72%), 순이익 40조3459억원(순이익률 77%)의 경영실적을 기록했다고 23일 밝혔다.

분기 기준으로 매출은 사상 최초로 50조원을 돌파했으며, 영업이익과 영업이익률 역시 각각 37조6000억원, 72%로 창사 이래 최고 기록을 달성했다.

매출은 전년동기 대비 198%, 전분기 대비 60% 증가했다. 영업이익은 각각 405%, 96% 늘었다. 증권가 컨센서스 대비로도 매출과 영업이익 모두 소폭 상회한 수준이다.

SK하이닉스는 "1분기는 계절적 비수기임에도 AI 인프라 투자 확대로 수요 강세가 이어진 가운데, HBM·고용량 서버용 D램 모듈·eSSD 등 고부가가치 제품 판매를 확대하며 실적 상승세를 이어갔다"고 설명했다.

이 같은 실적 호조에 힘입어 1분기 말 현금성 자산은 전분기 말 대비 19조4000억원 늘어난 54조3000억원을 기록했다. 반면, 차입금은 2조9000억원 감소한 19조3000억원을 기록하며 35조원의 순현금을 달성했다.

회사는 AI가 대형 모델 학습 중심에서 다양한 서비스 환경의 실시간 추론을 반복하는 에이전틱 AI 단계로 진화하면서 메모리 수요 기반이 D램, 낸드 전반으로 넓어지고 있다고 분석했다.

메모리 효율화 기술 확산 역시 AI 서비스의 경제성을 높이고 전체 서비스 규모 확대로 이어져 메모리 수요를 추가로 견인할 것이라고 내다봤다. 이를 바탕으로 D램·낸드 모두에서 우호적인 가격 환경이 지속될 것으로 전망했다.

SK하이닉스는 D램과 낸드 전반에서 신제품 개발과 공급을 이어가며 다양화된 메모리 수요에 대응한다는 방침이다.

HBM은 성능·수율·품질·공급 안정성을 통합한 종합적인 실행 역량을 더욱 강화한다. D램은 세계 최초로 10나노급 6세대(1c) 공정을 적용한 LPDDR6와, 같은 공정을 기반으로 이달 양산을 시작한 192GB SOCAMM2의 공급을 본격화한다.

낸드는 CTF 기반 321단 쿼드레벨셀(QLC) 기술을 적용한 cSSD ‘PQC21’의 공급을 개시한 데 이어, eSSD 전 영역에 걸쳐 고성능 TLC와 대용량 QLC를 아우르는 라인업으로 AI 수요 전반에 유연하게 대응한다. 특히 대용량 QLC eSSD에 강점을 보유한 솔리다임과의 시너지를 바탕으로 AI 데이터센터와 AI PC 스토리지 시장에서의 경쟁력을 강화할 계획이다.

CTF는 전하를 도체에 저장하는 플로팅 게이트(Floating Gate)와 달리 전하를 부도체에 저장해 셀간 간섭 문제를 해결한 기술로, 플로팅 게이트 기술보다 단위당 셀 면적을 줄이면서도 읽기, 쓰기 성능을 높일 수 있는 것이 특징이다.

한편 SK하이닉스는 고객 수요가 공급 역량을 상회하는 환경이 지속되는 가운데, AI 시대 구조적 수요 성장에 대응할 수 있는 공급 역량 확보가 핵심 경쟁력으로 부각됐다고 강조했다.

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이에 올해 투자 규모는 M15X 램프업, 용인 클러스터를 중심으로 한 인프라 준비와 EUV 등 핵심 장비 확보로 전년 대비 크게 증가할 것이라고 설명했다.

SK하이닉스는 "중장기 수요 성장에 선제적으로 대응할 수 있는 생산 기반을 전략적으로 확충하겠다”며 “수요 가시성을 고려한 투자를 통해 공급 안정성과 재무 건전성을 함께 확보하겠다”고 말했다.