동진쎄미켐이 올해 하반기 미국 텍사스 신너 공장을 양산 가동한다고 밝혔다. 이곳은 삼성전자 테일러 팹에 대응할 예정이다. 동진쎄미켐은 삼성전자와 신너 특허도 한국과 미국 등에 공동 출원(신청)했다. 

동진쎄미켐은 지난 9일 기업설명회에서 '미국 시장 진출과 중장기 성장동력'과 관련해 "2600억원을 투자해 텍사스주에 건설한 신너 및 고순도 황산 공장을 통해 글로벌 반도체 공급망 입지를 강화하고 있다"며 "2026년 하반기 양산 예정인 신너 공장은 이미 대형 수주를 확보한 파운드리 고객사의 현지 공장에 납품할 예정"이라고 밝혔다. 

또, 동진쎄미켐은 "삼성물산 및 마틴과 합작 설립한 고순도 황산 공장은 미국 정부 소재 자립화 정책에 따른 수혜를 누릴 것"이라고 기대했다. 

동진쎄미켐이 텍사스 신너 공장에서 만들어 납품할 예정이라고 밝힌 파운드리 고객사의 현지 공장은, 삼성전자가 텍사스주 테일러시에 짓고 있는 파운드리 공장(테일러 팹)을 말한다. 

삼성전자는 사업보고서에서 "반도체(DS) 부문 파운드리 사업부가 테슬라로부터 165억달러(약 24조5000억원) 반도체 위탁생산을 수주했다"고 밝혔다. 계약 체결일은 2025년 7월, 계약 종료일은 2033년 12월이다. 삼성전자는 테일러 팹을 2022년에 착공했고, 올해 가동할 예정이다. 

동진쎄미켐은 기업설명회 자료에서 신너에 대해 "감광액 회전 도포(스핀 코팅) 후 웨이퍼 가장자리의 불필요한 감광액을 없애는 공정(EBR:Edge Bead Removal)에 사용한다"며 "감광액 사용량 절감 코팅(RRC:Resist Reduced Coating) 공정으로 (중략) 감광액 사용량을 줄일 때도 사용한다"고 설명했다. 이어 "일반 신너보다 감광액 사용량을 50%까지 줄일 수 있고, 감광액이 불룩하게 솟아오른 높이(Hump Height)를 낮춰 생산수율을 높일 수 있다"고 덧붙였다. 감광액 사용량이 줄면 삼성전자 파운드리 공정 가격 경쟁력을 높일 수 있다. 

신너에 대한 설명은 동진쎄미켐이 삼성전자와 공동 출원한 특허 '신너 조성물 및 이를 이용한 반도체 기판의 표면처리 방법'(출원번호 10-2023-0039213)에서도 볼 수 있다. 

특허명세서에서 동진쎄미켐과 삼성전자는 "이 특허는 RRC와 EBR 성능을 개선한 신너 조성물과 배관 세정 능력이 우수한 신너 조성물 및 이를 이용한 기판 표면처리 방법을 제공한다"며 "불화크립톤(KrF) 및 불화아르곤(ArF)용 감광액뿐만 아니라 극자외선(EUV)용 감광액까지 범용적으로 사용할 수 있다"고 밝혔다. 

동진쎄미켐 등은 이 특허의 '발명을 실시하기 위한 구체적인 내용' 중 '실험예 3. EUV 감광액 사용량 절감 평가'에서 "(중략) 신너 조성물로 RRC 공정을 진행한 경우 감광액 절감 효과가 각각 50%와 57%로 나타났다"고 설명했다. 동진쎄미켐이 지난 9일 기업설명회에서 소개한 "일반 신너보다 감광액 사용량을 50%까지 줄일 수 있다"와 비슷한 내용이다. 

특허 출원 시점은 2023년 3월이다. 그 이전부터 동진쎄미켐과 삼성전자가 관련 기술을 함께 연구한 것으로 보인다. 두 기업은 해당 특허에 대해 지난달 심사를 청구했다. 한국에선 특허 출원 후 최장 3년까지 심사 청구를 늦출 수 있다. 미국과 중국에도 패밀리 특허를 출원했다. 

관련기사

연도별 동진쎄미켐 매출에선 삼성전자 매출과 비중이 커지고 있다. 지난해 동진쎄미켐 전체 매출 1조1941억원 중 59%인 7061억원이 삼성전자에서 나왔다. 지난해 매출 감소에 대해 동진쎄미켐은 "중국 디스플레이 법인 매각 예정에 따른 중단영업손익을 반영했다"고 설명했다. 

동진쎄미켐은 지난 2022년 국내 최초로 EUV 감광액을 상용화했다. 지난 2019년 일본 정부의 소재 수출 규제 이후 한국 정부의 소부장 국산화 지원 속에 동진쎄미켐은 삼성전자 등과 EUV 감광액 국산화를 위해 노력했다.