SK하이닉스는 7세대 고대역폭메모리인 'HBM4E' 12단 샘플을 주요 고객사에 공급했다고 18일 밝혔다.

SK하이닉스는 "HBM 선행 개발 역량과 생산 노하우를 바탕으로 HBM4E 12단 샘플을 고객들에게 선보였다"며 "핵심 고객사들과 협업해 적기에 양산하겠다"고 말했다.

이어 "신제품은 이전 세대인 HBM4 대비 성능과 전력 효율을 한 단계 끌어올렸다"며 "핀당 최대 16Gbps(초당 16기가비트)의 데이터 처리 속도를 구현하고 에너지 효율을 20% 이상 개선했다"고 설명했다.

SK하이닉스는 "HBM4E는 최신 인터페이스와 설계 최적화로 데이터 전송 지연을 줄이고 고대역폭 환경에서도 안정적인 동작을 구현했다"며 "이를 통해 차세대 AI 데이터센터와 대규모 컴퓨팅 시스템의 처리 효율을 한층 높일 수 있을 것으로 기대한다"고 덧붙였다.

회사는 HBM4E에 어드밴스드 MR-MUF 공정을 적용해 12단 적층 기준 48GB(기가바이트) 용량을 구현하는 동시에 구조 안정성을 높였다고 강조했다. 열 저항을 HBM4 대비 약 17% 낮춰 고성능 컴퓨팅 환경에서도 메모리가 안정적으로 동작하도록 했다는 게 SK하이닉스측 설명이다.

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MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 공간 사이에 액체 형태의 보호재를 주입하고 굳히는 공정이다.

안현 SK하이닉스 개발총괄 사장은 "그동안 쌓아온 기술 경쟁력과 양산 역량을 HBM4E 제품에서도 이어가, AI 혁신을 지속적으로 이끌 것"이라며 "시장이 요구하는 가치를 구현해, 풀 스택 AI 메모리 크리에이터로서의 기술 리더십을 공고히 하겠다"고 말했다.