SK하이닉스가 충북 청주에 위치한 신규 메모리 생산기지 ‘M15X’의 D램 투자 전략을 1b(5세대 10나노급)에서 1c(6세대 10나노급) D램 중심으로 전환하는 방안을 검토 중인 것으로 파악됐다. 최근 급변하는 고대역폭메모리(HBM) 및 범용 D램 시황에 선제 대응하기 위한 조치로 풀이된다.

4일 업계에 따르면 SK하이닉스는 M15X 내 6세대 10나노급(1c) D램 설비투자 규모를 당초 계획보다 확대하는 방안을 논의 중이다.

M15X는 SK하이닉스의 신규 메모리 생산기지다. 부지 규모는 6만㎡로, 확보 가능한 D램의 총 생산능력은 월 9만장 내외로 추산된다.

당초 SK하이닉스는 M15X에 5세대 10나노급(1b) D램을 집중 투자할 계획이었다. 1b D램은 SK하이닉스 HBM3E 및 HBM4의 코어 다이로 활용된다. 특히 HBM4는 올해 본격 상용화되는 제품으로, 엔비디아의 최신형 AI 가속기 '베라 루빈(Vera Rubin)' 시리즈에 처음 탑재된다.

이에 SK하이닉스는 지난해 4분기부터 M15X에 월 3만장 규모의 1b D램용 설비투자를 집행해 왔다. 이후 추가 투자를 통해 1b D램 생산능력을 약 8만장까지 확대하고, 유휴 공간에 1c D램용 라인을 소규모로 도입할 계획이었다.

그러나 최근 SK하이닉스는 올 하반기로 예정된 M15X용 설비 발주를 1c D램으로 진행하는 방안을 추진 중인 것으로 파악됐다.

반도체 업계 관계자는 "SK하이닉스가 투자 효율성을 고려해 올해에는 M15X에 1b D램용 설비만을 도입하려고 했으나, 최근에는 1c D램을 투자하는 방향으로 선회 중"이라며 "급변하는 시황에 맞춰 투자 전략을 수정한 것으로 안다"고 설명했다.

전략 수정의 주요 원인은 HBM4에 있다. SK하이닉스는 올해 엔비디아향으로 60억Gb(기가비트) 수준의 HBM4 출하량을 계획했었다.

그러나 베라 루빈이 최적화 문제로 출하량이 감소가 불가피해지면서, 최근 SK하이닉스의 HBM4 목표 출하량도 이보다 20~30%가량 낮아진 것으로 파악됐다. SK하이닉스로서는 1b D램의 생산능력을 확대할 요인이 줄어든 셈이다.

반면 1c D램은 가장 최신 세대의 D램으로서, 향후 수요가 크게 증가할 전망이다. SK하이닉스의 경우 차세대 HBM인 HBM4E는 물론, 서버 시장에서 각광받고 있는 소캠2(SoCAMM2)에도 1c D램을 적용한다. 소캠은 엔비디아가 독자 표준으로 개발해 온 차세대 메모리 모듈이다.

관련기사

이를 고려하면 SK하이닉스는 M15X에 최소 4만장 규모의 1c D램용 설비투자를 집행할 것으로 예상된다.

또 다른 업계 관계자는 "SK하이닉스가 M15X용 설비 발주를 서두르는 분위기"라며 "아직 정식으로 투자 계획이 나온 것은 아니지만, 추가 투자분은 1c D램에 초점을 맞추는 방안이 유력하게 거론되고 있다"고 말했다.