일본 코쿠사이와 특허분쟁 중인 유진테크가 코쿠사이 특허는 무효라는 주장을 되풀이했다. 코쿠사이는 유진테크가 특허 4건을 침해했다고 주장해 왔다. 코쿠사이는 삼성전자의 특정 공정용 원자층증착(ALD) 장비를 독점 공급해왔는데, 유진테크가 이 시장에 진입하자 특허침해소송을 제기했다. 

21일 특허법원에서 열린 심결취소소송 2건 변론기일에서 유진테크와 코쿠사이는 상반된 주장을 펼쳤다. 쟁점 특허는 코쿠사이의 '반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램'(등록번호 2472052)이다. 

해당 특허는 티타늄 원료가스(TiCl4)와 실리콘 원료가스(SiH4)를 기판에 동시에 분사하고, 특정 온도 조건에서 두 가스가 웨이퍼 표면에서 흡착해 직접 화학반응하는 원리를 설명한다. 티타늄 가스의 염소(Cl)와 실리콘 가스의 수소(H)가 서로 결합해 염산(HCl) 가스 형태로 배출되면서 막 내부에 불순물이 쌓이지 않는다. 

이때 염산(HCl) 가스를 빨리 배출해야 이후 질소 원료가스(NH3)를 공급할 때 박막 형성을 방해하는 염화암모늄(NH4Cl)이 생성되는 것을 막을 수 있다. 불순물과 염화암모늄 생성이 차단된 상태에서 질소 원료가스(NH3)로 초기층을 질화(개질)하며, 확산 방지를 맡는 티타늄실리콘질화막(TiSiN) 배리어막이 충분한 두께로 쌓일 때까지 이 과정을 반복한다. 

유진테크는 해당 특허에 대해 지난 2024년 특허심판원에 무효심판을 청구했는데 기각되자 이에 불복하고 특허법원에 심결취소소송을 제기했다. 코쿠사이는 같은 특허에 대해 2025년 특허심판원에 정정심판을 청구했는데 기각되자, 심결취소소송을 제기했다. 정정심판은 일반적으로 특허가 무효가 될 가능성이 있을 때 특허 권리범위를 좁히기 위해 사용한다. 

이날 변론기일에서 유진테크는 "해당 코쿠사이 특허는 명세서에서 제시한 온도조건을 충족하면 화학 법칙상 발생하는 메커니즘을 기재한 것에 불과해 특허성이 없다"고 주장했다. 코쿠사이는 "특허 무효화 근거로 제시한 선행발명에는 관련 공정이 구체적으로 설명되지 않았고, 두 원료가스 유량비를 제어해 이후 질화 공정에서 박막 형성을 방해하는 염화암모늄(NH4Cl) 생성을 막는 것이 특허의 콘셉트"라고 맞섰다. 

코쿠사이는 해당 특허 무효분쟁과 관련한 법원 최종 판결이 나오기 전에, 정정분쟁과 관련한 법원 선고가 나올 수 있도록 해달라고 재판부에 요청했다. 특허 유무효 판단이 먼저 끝날 경우, 실무상 특허 정정이 어려워지는 상황을 피하려는 의도로 보인다. 이날로 두 업체의 심결취소소송 2건 변론은 끝났다. 특허법원은 7월 선고할 예정이다. 

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유진테크는 코쿠사이의 나머지 특허 3건에 대해서도 2024년 특허심판원에 무효심판을 청구했다. 2건에 대해선 특허심판원에서 일부 청구만 받아들여졌다. 해당 2건 모두 양측이 불복했고, 특허법원에 올라갔다. 나머지 1건에 대한 특허심판원 판단은 아직 나오지 않았다. 

두 업체 특허분쟁은 유진테크의 배치 타입 ALD 시스템 '해리어'(Harrier) 시리즈와 관련돼 있다. 코쿠사이는 삼성전자 특정 공정에 관련 ALD 장비를 독점 공급해왔는데 유진테크가 이원화 납품하자, 지난 2024년 2월 서울중앙지방법원에 특허침해소송을 제기했다. 원고는 일본 코쿠사이 엘렉트릭과 한국 자회사 국제엘렉트릭코리아다.