比较项目

NOR

NAND

提供者

发明者

舛冈富士雄（1984于东芝公司）

Madingsky

商业应用厂商

英特尔（1988）

东芝（1989）

Madingsky

原理示意图

Madingsky

特点

芯片内执行

传输效率很高

写入和擦除速度很低

极高的单元密度

写入和擦除速度很快

Madingsky

擦除

擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s

擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms

Madingsky

性能

NOR的读速度比NAND稍快一些；

NAND的写入速度比NOR快很多；

NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快；

大多数写入操作需要先进行擦除操作；

NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少；

Madingsky

接口

NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。

NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。

Madingsky

尺寸

1

1/2

Madingsky

应用

NOR主要应用在代码存储介质中

NAND适合于数据存储

Madingsky

耐用性

NOR的擦写次数是十万次

NAND的擦写次数是一百万次

Madingsky

位交换

NAND发生的次数要比NOR多

软件支持

NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持

NAND器件上进行同样操作时，通常需要驱动程序，即MTD

Madingsky

NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD

Madingsky

*期待恢复，共同完善。