IT之家 5 月 1 日消息，科技媒体 Wccftech 昨日（4 月 30 日）发布博文，报道称英特尔为吸引外部代工客户，开始推广 18A-P 制程技术。相比较 18A 工艺，18A-P 在同等功耗下性能提升 9%，或在同等性能下功耗降低 18%。

英特尔目前正在完善 18A-P 制程技术，并计划在 6 月召开的 VLSI 大会上公布更多细节。基于目前披露的信息，作为 18A 的增强版，18A-P 基于 RibbonFET（环绕栅极晶体管）和 PowerVia（背面供电）技术，在同等功耗下性能提升约 9%，或在同等性能下功耗降低约 18%。

设计规格上，18A-P 的接触栅极间距与库高度与 18A 一致，但晶体管选项大幅扩展。新增低功耗及高性能器件，逻辑阈值电压对从 18A 的 4 对增至 5 对以上，并在超低阈值电压与低阈值电压间新增选项。

18A-P 的 Skew Corners（时序偏差角）收紧 30%，显著减少节点内的性能差异。同时，互连 RC 优化及 V0-V2 电阻降低，M2-M4 走线调整，进一步提升信号与电源效率。

IT之家注：时序偏差角指芯片制造过程中晶体管性能的统计学分布边界。收紧 Skew Corners 意味着减少不同晶体管之间的性能差异，确保芯片在更窄的性能范围内运行，从而提升良率与设计可靠性。

热管理方面，18A-P 制程达成 50% 的热导率提升。这虽不意味着芯片运行温度更低，但能更高效地将热量传导出去，避免芯片触及热阈值而降频。

广告声明：文内含有的对外跳转链接（包括不限于超链接、二维码、口令等形式），用于传递更多信息，节省甄选时间，结果仅供参考，IT之家所有文章均包含本声明。