IT之家 5 月 24 日消息，據 Blocks & Files 報道，華為於 5 月 20 日至 21 日在巴黎舉行的 ID Forum 2026 活動上展示了基於自研 Die-on-Board（板上裸片封裝，DoB）封裝技術的大容量 SSD 系列。

其中一款面向 AI 推理和數據中心的全新 SSD 提供 61.44TB 與 122.88TB 兩種容量，而且華為未來還計劃推出 245TB 版本。

IT之家此前報道，華為在去年 8 月發佈了三款全新 AI SSD 產品，其中 LC560 就曾承諾推出最大 245TB 的容量。

華為使用自主研發的 DoB 封裝技術，將更多 NAND Die 直接封裝在 PCB 電路板上，從而繞開傳統 TSOP 或 BGA 封裝對芯片數量的限制，提供更高的密度和更好的性能。

目前三星等原廠已經推出 400 層以上的 3D NAND 產品，但相關芯片涉及美國技術，所以無法向華為供應最新 NAND 芯片。因此，華為選擇通過封裝層面的創新提升容量密度。

傳統主流 SSD 供應商（如三星、鎧俠、閃迪、美光等）通常採用多芯片堆疊在 TSOP 或 BGA 封裝內部，然後再焊接到 PCB 上。傳統 TSOP / BGA 封裝受限於封裝體的固定物理尺寸，最多隻能實現 16 層裸片堆疊，而 DoB 技術最高可實現 36 層堆疊，突破了這一物理限制。

相比於 TSOP 或 BGA 封裝，華為的 DoB 方案不僅提升了容量密度，還因省去了若干昂貴的封裝步驟，從而更具成本效益。

在 2026 巴黎活動期間，華為展示了多款高容量 SSD 產品，包括已經量產的 61.44TB 和 122.88TB 型號，以及未來規劃中的 245TB 版本。另外，展區中的 OceanDisk 1800 Smart Disk Enclosure 宣傳資料顯示，該 2U 機箱可實現 1.47PB 容量，並標註採用“基於 DoB 堆疊技術的大容量 SSD”。另一臺 OceanDisk 1610 展示設備則標稱可在 2RU 空間內搭載 36 塊 61.44TB SSD，總容量達到 2.2PB。

作為對比，戴爾目前基於鎧俠（Kioxia）245.88TB QLC NVMe SSD 的方案，在 2RU 機箱中可提供約 9.8PB 原始容量。華為 DoB 技術已經在一定程度上縮小了雙方差距。

IT之家注意到，華為在 2024 年發佈的《數據存儲 2030》白皮書以及相關宣傳材料中也重點介紹了 DoB 技術。

華為當時提到，這類 Wafer-Scale 技術需要解決超大芯片的製造、芯片的功能管理和監控、跨芯片連接、芯片散熱、可靠性管理等問題。現在，華為研發團隊經過專項技術攻關後，最終實現了該技術的規模化商用。

目前，該技術已應用於 OceanStor Pacific 9926 全閃分佈式存儲，以及配套的 OceanDisk QLC PCIe Gen4 SSD 產品中，提供 61.44TB 與 122TB 容量版本，但具體 NAND 層數尚未披露。

另外，華為 AI SSD 架構在主控芯片中集成 AI 加速單元，可實現存儲與計算協同，從而降低數據傳輸能耗。採用 36 塊 122.88TB PCIe Gen5 NVMe SSD 的 OceanStor Pacific 9926，在 2RU 機箱中可提供 4.42PB 原始容量，在 2.5:1 壓縮比下有效容量可達到 11PB。

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