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MOS管随笔
yinsua · 2024-12-05 · via 博客园 - yinsua

参考:https://www.eet-china.com/mp/a37555.html
参考:https://ee.ofweek.com/2018-12/ART-8900-2801-30291388.html

S级/源级/Source
G级/栅极/Grid
D级/漏级/Drop

NMOS PMOS对比

NMOS靠近GND,PMOS靠近VCC

测量二极管的类型

万用表调节至二极管档

红表笔接D,黑表笔接S,如低于0.7V,则此MOS管为PMOS,反之则为NMOS

NMOS管应用

防止电源接反的保护电路

下面就是一个应用这个特性做的一个防止电源接反的保护电路,这样应用要比使用二极管好很多,如果直接使用二极管,会有约0.7V的压降。


NMOS管作为防止电路反接方案中,VCC=5V的电源加在10K阻性负载上,电压表、电流表分别测量,记录值是5V、500uA;切换Key开关,模拟电源反接时,测得记录值是-49.554mV、-4.955uA。

电平转换电路

Sig1,Sig2为两个信号端,VDD和VCC分别是3.3V和5.0V电平信号的高电压。
另外限制条件为:

  1. VDD <= VCC
  2. Sig1的低电平门限大于0.7V左右(视NMOS内的二极管压降而定).
  3. Vgs <= VDD
  4. Vds <= VCC


PMOS管应用

电源通断控制