过去两年，HBM一直被视为存储界的“试金石”。但如今，这一现状正发生阶段性变化。

根据TrendForce最新研究，2026年第一季度，64GB DDR5 RDIMM服务器内存模块的单位晶圆收入和盈利能力，首次超越HBM产品。 这意味着，目前存储行业最赚钱的产品不再是紧贴AI GPU的HBM，而是AI服务器内部大量使用的DDR5内存。

相应的，头部存储厂商之间的 DRAM 扩产竞争也愈演愈烈。

新一轮DRAM扩产竞赛，已然打响

据悉，SK海力士正筹划一场史上规模最大的DRAM产能扩张。据The Elec报道，SK海力士已向核心供应商披露计划，拟在2030至2031年间将DRAM月产晶圆数量从目前约55万片提升至约100万片，几乎翻倍。这与SK集团会长崔泰源（Chey Tae-won）在2026年COMPUTEX展会上的公开表态相吻合——他当时宣称公司将"以全速在五年内将整体晶圆产能翻倍"。

该计划的核心目标是：将目前每月约55万张（包含中国无锡工厂约20万张产量）的DRAM月产能，提升至2030年的100万张左右。此次扩产将高度集中于龙仁半导体集群。

根据规划，SK海力士将龙仁一期晶圆厂划分为6个洁净室，首个洁净室（Phase 1）的设备搬入时间已从原定的2027年5月提前至2月。在完成设备调试并新增6万张产能后，剩余产能将在随后的3年内逐步释放，共计增产36万张。按此推算，仅龙仁一期晶圆厂就能在2030年上半年新增每月36万张的DRAM产能。

与此同时，目前正在扩建的清州M15X晶圆厂也将贡献增量。该厂预计将于今年下半年以每月4万张的规模启动运营，并在明年达到约8万张的产能。

从现有规划来看，SK海力士新增产能均聚焦于DRAM领域，这主要源于AI数据中心建设和AI训练/推理对高性能计算硬件的需求呈爆发式增长，直接引发HBM和服务器用高密度DRAM的巨大需求。至于NAND闪存，未来将主要通过技术升级（如增加层数）来推进。

在HBM4E方面，SK海力士也在加快交付进度。6月18日，SK海力士12层堆叠HBM4E已向各大核心客户送出样品。HBM4E是第七代HBM，预计SK海力士的HBM4E将被用于英伟达的下一代AI加速器“Rubin Ultra”中，Rubin Ultra计划于明年发布。

值得注意的是，5月29日，三星电子宣布，已开始向主要全球客户交付业内首批12层48GB HBM4E样品。美光的HBM4产能爬坡进展也相对顺利，计划于2027年量产HBM4E。随着新一代HBM产品的量产，这三家存储龙头的供应竞争将进一步加剧。

这场AI盛宴的幕后，最开心的远不止存储厂商，还有那些卖“铲子”的半导体设备商。那么，在浪潮汹涌之下，谁才能抓住真正的机会？

半导体设备商的“泼天富贵”

本轮扩产的第一波设备红利，首先砸向先进DRAM前道制程。但受益的远不止光刻机——刻蚀、沉积、清洗、量测等各类前道核心设备，乃至后道堆叠专用设备，均因工艺复杂度跃升而需求激增。

光刻机是第一个也是最硬的需求缺口。当DRAM制程迈入10nm及以下节点后，传统光刻需依靠多重曝光才能刻出目标电路，直接推高工艺复杂度，并带来良率走低、成本攀升等难题。先进光刻设备成为行业刚需，各大厂商甚至提前布局High-NA EUV。今年3月，SK海力士便披露将向ASML采购总价约80亿美元的EUV光刻机，交付至2027年底，全面服务于下一代工艺。光刻机的紧俏也拉动了配套设备的价值重估——涂胶显影设备在多重曝光流程中配置量同步倍增。

刻蚀与薄膜沉积是最大受益者，两者合计占DRAM产线设备投资的近五成。先进DRAM的真正难点在于存储电容器的构建。进入1b节点后，平面架构的电容尺寸已达物理极限，产业转向三维垂直结构：在氧化硅/氮化硅叠层中刻蚀深沟槽，孔径仅数十纳米，深宽比突破100:1。这直接催生了高深宽比刻蚀设备（负责沟槽成型，侧壁垂直精度达纳米级）和原子层沉积（ALD）设备（负责沟槽内壁均匀镀膜）的高速增长。

数据显示，如今3D NAND 为提升存储密度，将存储单元垂直堆叠，层数不断增加，目前主流产品已超过 300 层，未来还将向 1000 层迈进。DRAM未来也有类似的3D堆叠层数的技术路线图。这使得对刻蚀设备的需求量和性能要求呈指数级增长，比如从32层提高到128层时，刻蚀设备用量占比从35%提升至48%。堆叠层数不断增加，每层薄膜厚度要求严苛，ALD 与 CVD 协同工艺成为主流，这都对薄膜沉积设备提出了更高要求。

同时，清洗设备需求飙升——高深宽比刻蚀后的副产物极易在底部堆积，传统清洗液无法有效浸润，而光刻步骤翻倍使清洗工序增至200道以上，倒逼超临界流体清洗等高端方案快速渗透。

CMP设备同样是不可或缺的关键环节。在前道先进DRAM制程中，CMP贯穿浅槽隔离、电容层平坦化和多层互连等多个节点，工艺复杂度跃升直接推高设备需求。

此外，DRAM 晶圆完成前段工艺制造后，将进入 HBM 堆叠工艺工序，同时也会带动一整套专用设备的新增需求。比如：要将多层DRAM晶圆垂直堆叠，晶圆减薄机必须将芯片厚度从常规的数百微米减至50微米以下，而变薄后的晶圆极易翘曲和碎裂，这对减薄机的精度和应力控制提出严苛挑战；混合键合设备则要在常温下实现铜-铜直接扩散连接，界面平整度需控制在亚纳米级；TSV刻蚀与检测设备更要在薄片上打通数十万个垂直通孔，并逐一排查电气连通性。而混合键合前的原子级表面处理、超薄晶圆减薄配套及TSV平坦化均依赖CMP完成。

半导体设备厂商，谁抓住了这波浪潮？

在回答“谁抓住了机会”之前，有必要先看清这波浪潮的体量。

泛林集团（Lam Research）CEO在2026年1月的财报电话会上预测，2026年全球晶圆厂设备市场将跃升至1350亿美元，虽受洁净室短缺制约，但下半年增长强劲。HBM与先进封装成核心引擎，预计后者增速超40%，NAND升级亦加速推进。

科磊（KLA）预测2026年WFE规模将突破1400亿美元，且2027年增速有望进一步提升。这是一场千亿美元级别的设备盛宴。而在这场盛宴中，不同赛道的设备商受益逻辑各不相同。

关于这波浪潮的受益者，先看国际厂商。

光刻机的最大受益者必然是ASML，这一点不用赘述。涂胶显影设备的主要供应商是东京电子，其市占率长期稳定在90%左右，EUV光刻涂胶显影设备的市占率更是达到100%，

泛林半导体是刻蚀领域的绝对龙头，其Kiyo、Flex系列设备是行业标配。目前，泛林集团已推出专为 4F² 和三维 DRAM 制程设计的 Akara 刻蚀系统，同时还提供适用于硅通孔制程的 Syndion 刻蚀系统、以及向硅通孔结构沉积铜金属的 Sabre 3D 电镀系统等设备。

应用材料则是在沉积领域与泛林形成双雄对峙。近日，应用材料发布两款面向3D芯片微缩技术的全新制造设备，聚焦先进逻辑与存储芯片在高深宽比结构下的核心工艺挑战。其中，Centris Spectral设备采用高密度微波等离子体技术，可在低温条件下于复杂3D结构内沉积致密、均匀的氮化硅薄膜，显著提升GAA晶体管与高层数3D NAND的良率与稳定性。

另一款Producer Selectra钼刻蚀机则首次实现对金属钼的高选择性干法刻蚀，有效解决传统湿法在数百层堆叠中刻蚀不均、底部难以触及的难题，大幅改善3D NAND单元一致性与数据保持能力 。

SCREEN Holdings是全球晶圆清洗设备的市场领导者。根据YH Research数据显示，2025年SCREEN控股在逐片处理半导体晶圆（基板）的单片式清洗设备领域，全球份额占到约38%。

Besi是混合键合设备的主要参与者。今年4月初，SK海力士采购了由应用材料与Besi联合研发的混合键合量产成套设备，整套设备造价约200亿韩元，折合1500万美元，整合了应用材料CMP化学机械抛光、等离子处理设备与Besi混合键合机，也是SK海力士首套面向量产的混合键合设备。

Besi预测，到2030年，全球已安装的混合键合系统累计数量将达到960至2000台。市场规模方面，全球混合键合设备市场预计将从2023年的1.23亿美元，以24.7%的惊人复合年增长率，飙升至2030年的6.18亿美元。其中，亚太地区（尤其是中国大陆）将成为增长引擎，市场规模有望超4亿美元。

再看国内的半导体设备厂商。2026年5月19日，长江存储完成IPO辅导备案。6月12日晚间，证监会官网显示，证监会同意长鑫科技首次公开发行股票并在科创板上市的注册申请。长鑫存储与长江存储走向IPO，只是故事的A面。B面是：它们身后的国产设备商，正从工艺外围的零星国产，逐步跻身左右存储芯片良率上限的关键核心制程赛道。

北方华创是国内半导体设备领域的平台型企业，产品线覆盖刻蚀机、薄膜沉积设备（PVD、CVD）等多种关键设备。据悉，其PVD/CVD设备已加速进入国内DRAM龙头厂商的供应链体系。去年10月，北方华创还在互动平台表示，长江存储是公司的战略客户，公司多款ICP及CCP刻蚀设备、薄膜沉积设备、炉管设备和清洗设备应用于长江存储的芯片生产线。

中微公司等离子体刻蚀设备已大量用于先进三维闪存和动态随机存储器件的量产；拓荆科技专注于薄膜沉积设备，尤其是PECVD（等离子体增强化学气相沉积）设备。PECVD是3D NAND芯片制造中的关键环节，直接影响芯片的多层堆叠能力。上述两家公司的产品均已导入长江存储供应体系。

华海清科是国内少数能量产CMP（化学机械抛光）设备的厂商。CMP是芯片制造中的关键工艺环节，直接影响到芯片的平整度和良率。盛美上海为国内存储龙头企业供应清洗设备；精测电子提供光学检测、量测等设备；芯源微是涂胶显影设备供应商；精智达专注于存储芯片测试设备；至纯科技为提供高纯工艺系统等。

存储设备的新浪潮，从来不是概念炒作的狂欢，而是技术迭代与市场需求双向奔赴的必然。当 DDR5 凭借高密度优势成为行业盈利核心，当 HBM 的工艺突破拉开高端竞争序幕，这场围绕存储的较量，早已回归到技术实力与产业韧性的本质。

国际巨头靠着数十年在核心设备、先进制程上的沉淀，依然占据着高端市场的主导权，其产能扩张与技术布局，直接牵动着全球存储供应链的脉搏。但国产阵营的突围之路同样亮眼，北方华创、中微公司等企业紧跟国内存储龙头的扩产节奏，从配套环节一步步切入核心制程，用持续的技术迭代和客户验证，正慢慢打破海外垄断的壁垒。