Webster效应#

发生在：基区

原因：IbI_b向基区大注入

结果：基区少数载流子浓度上升，集电区难以收集到载流子

最终结果：β\beta（β=IcIb\beta = \frac{I_c}{I_b}）降低

影响趋势：Ic↑→β↓I_c \uparrow \rightarrow \beta \downarrow（在IcI_c较大时）

指标：Ic∝exp⁡(qVbe2kT)I_c \propto \exp(\frac{q V_{be}}{2kT})（对比在IcI_c较小时Ic∝exp⁡(qVbekT)I_c \propto \exp(\frac{q V_{be}}{kT})）

Early效应（基区调制效应）#

发生在：集电结耗尽层

原因：集电结偏压VbcV_{bc}

结果：耗尽层宽度变化，基区宽度变化

最终结果：集电极电流变化

影响趋势：Vcb↑⇒Wb∗↓V_{cb} \uparrow \Rightarrow W_b^* \downarrow

指标：VAV_A（Early电压）

Kirk效应（基区展宽效应）#

发生在：集电结耗尽层

原因：发射区向基区大注入

结果：耗尽区边界处因杂质电离产生的多数载流子浓度受到注入载流子的影响

最终结果：耗尽区向集电区延伸，基区宽度变大

发射结复合电流影响#

发生在：发射结耗尽层

原因：发射结存在复合电流

结果：γ\gamma降低

指标：Ire/Ine≫1I_{re}/I_{ne} \gg 1时认为影响显著

形状/构造相关#

发射结电流集边效应

发生在：平面管发射结

原因：发射结边缘与中心之间存在电阻

结果：更多电流从发射结边缘通过

指标：当发射结边缘与中心电势差ΔV>kTq\Delta V > \frac{kT}{q}时认为效应显著。

发射结结面积影响#

发生在：发射结

原因：发射结与非本征基区（水平方向）存在电流

结果：γ\gamma降低

指标：Ajeo/Aje∗A_{jeo}/A_{je}^*