#行业资讯 SK 海力士完成 375 层 NAND 闪存芯片的技术验证，预计将在年底使用现有的晶圆厂开始量产这种高密度 NAND 芯片。值得注意的是，SK 海力士也在尝试使用钼膜替代目前传统使用的钨膜，原因是随着层数堆叠得越来越高，钨膜电阻增加导致性能下降，而钼膜在这些条件下则具有更好的电气特性。查看详情：https://ourl.co/113478
韩国存储器制造商 SK 海力士目前已经完成 375 层 NAND 闪存芯片的技术验证，这是量产前的关键技术步骤，在完成技术验证后意味着这种 NAND 芯片已经没有量产的阻碍，因此 SK 海力士计划在年底前使用现有的晶圆厂开始量产 375 层的 NAND 芯片，而现有的 321 层 NAND 芯片也会继续生产。
375 层 NAND 芯片被称为 400 层产品：
在 SK 海力士内部，这款 375 层的 NAND 闪存芯片设计被称为 400 层产品，这种差异也反映层数超高 NAND 闪存芯片的根本问题：超过一定层数后，采用现有方法简单地堆叠层数会变得困难。随着堆叠层数的增加，保持电气连接的可靠性变得越来越困难，因此企业不得不牺牲部分层数来保证良率和性能，所以 375 层 NAND 芯片就牺牲了 25 层堆叠。
这种技术问题也影响 SK 海力士的长期规划，目前该公司正在研发未来几代的 NAND 闪存芯片，这些芯片采用 480 层和 604 层结构，但要实现这些目标仅依靠渐进式改进是不够的，所以 SK 海力士调整材料来满足技术要求，也就是学习三星采用钼膜来取代目前长期使用的钨膜。
为什么使用钼替代钨：
长期以来钨大都是制造 NAND 闪存芯片的标准材料，但随着布线变细和电阻增加，钨膜性能也会逐渐下降，在层数较高的情况下这种电阻会干扰芯片上的信号传输，也就是随着层数继续堆叠，材料造成的技术问题会越来越明显，所以三星在其先进的 NAND 闪存设计中使用钼取代钨。
这种转变也表明 NAND 闪存微缩技术的演进方向，制造商的目标仍然是快速增加堆叠层数实现更高的容量，但瓶颈在于信号如何在高度密集的垂直结构中高效传输，换句话说现在材料的重要性正在变得与技术架构同等重要，因此在供应链里钼的需求量正在逐渐攀升。
在 2025 年三星采购 4 吨钼，今年三星已经锁定 10 吨钼，而 SK 海力士预计在增产过程中也将使用约 4 吨钼。行业预测，到 2027 年钼在半导体行业中的需求量将达到 25 吨，到 2028 年达到 40 吨，2029 年达到 60 吨，到 2030 年将达到 80 吨，这种需求趋势也表明新材料在存储器制造领域正在变得越来越重要。