記憶體三巨頭之一的 SK 海力士（SK Hynix），在 HBM 市場已取得逾四成營收佔比、地位穩固的情況下，放緩第六代高頻寬記憶體（HBM4）的量產節奏，轉而將產能投入目前供應吃緊、利潤率又反超 HBM 的一般型 DRAM 市場。這項策略轉向不僅牽動 SK 海力士自身的獲利結構，也為競爭對手三星電子（Samsung Electronics）在 HBM 市場創造了追趕空間。

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HBM4 產線轉換延後，轉向高獲利一般型 DRAM 市場

朝鮮日報報導，業界人士 23 日透露，SK 海力士已決定延後部分原本要從第五代 HBM（HBM3E）轉換為 HBM4 的產線排程，目的在於擴大公司應對一般型 DRAM 市場的供應能力，畢竟該市場目前的營業利潤率如今已優於 HBM。

業界普遍認為，SK 海力士既然已在 HBM 市場建立穩固優勢，自然沒有必要急於搶先轉換至 HBM4，乃至下一代的 HBM4E（第七代 HBM）。

獲利結構翻轉：一般型 DRAM 比 HBM 更賺錢

這項策略轉變的背後，是一般型 DRAM 與 HBM 獲利能力的逆轉。雖然以每 Gb 單價計算，一般型 DRAM 目前仍低於 HBM，但雙方的營業利益率差距，估計已擴大到 15 個百分點以上。大新證券（Daishin Securities）更預測，一般型 DRAM 的營業利益率在今年內理論上有機會衝上 90% 的高峰，顯示這塊市場的吸金能力正快速攀升。

一位熟悉 SK 海力士內部決策的人士指出，公司管理層難以忽視競爭對手三星電子已從一般型 DRAM 賺取龐大利潤的現實；同時，SK 海力士的 HBM4 目前仍處於輝達品質認證的階段，而搭載 HBM4 的輝達次世代晶片「Rubin」生產預測又被下修，種種因素都讓加速轉換 HBM4 的急迫性降低。

外資投行齊看多：記憶體價格循環成關鍵

國際投資銀行的分析也呼應了該趨勢，高盛（Goldman Sachs）認為，SK 海力士只要在 HBM3（第四代）與 HBM3E（第五代）市場維持 50% 以上的領先地位，至少便足以應付到 2026 年。

摩根士丹利（Morgan Stanley）則進一步指出，真正決定 SK 海力士企業價值的關鍵，並非死守 HBM 市佔率，而是整體記憶體市場的價格循環走勢；該行同時基於 2026 年 DRAM 平均售價（ASP）有望上漲 62% 的預測，將 SK 海力士的獲利預估大幅上調 56% 至 63%。

這項判斷也獲得 SK 海力士自身財報數據的支撐。公司在第一季財報中表示，DRAM 平均售價已上漲約 60%，並計畫聚焦於滿足高密度伺服器模組與行動裝置產品的需求。此外，SK 海力士與微軟（Microsoft）簽署的三年期 DDR5 供貨協議，也被市場解讀為鞏固一般型 DRAM 長期營收能見度的關鍵佈局。

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三星伺機而動，SK 海力士 HBM 市佔面臨下修風險

然而，SK 海力士在 HBM4 擴產上的保守步調，也讓競爭對手三星電子有機可乘。根據 Counterpoint Research 的數據，SK 海力士在去年第四季的 HBM 市佔率為 57%，但市場普遍預期該數字將逐漸收縮。

部分觀察人士甚至指出，若三星電子能在今年下半年成功量產 HBM4，SK 海力士的 HBM 市佔率可能進一步下滑至 50% 至 60% 區間，這場記憶體雙雄下半年的戰局，恐怕只會更加激烈。